日立化成工業株式会社(本社：東京、執行役社長：長瀬 寧次、資本金：154 億円)は、このたび「絶縁膜用ＣＭＰ研磨材『ＧＰＸ』」で「第40回日本化学工業協会技術特別賞」を受賞し、５月30日(金)開催の日本化学工業協会通常総会会場にて表彰式が行われました。

社団法人日本化学工業協会は、化学技術の進歩向上をはかり、化学産業の技術開発の振興を図るため、総合賞、技術特別賞および環境技術賞を設け、毎年、優れた技術を表彰しています。今回、当社が受賞した技術特別賞は、「独創的技術および改良技術で、科学技術の進歩、産業の発展に寄与したもの」を主な選定基準とする賞で、当社としては一昨年の｢低温短時間接続用異方導電フィルム｣、昨年の「リチウムイオン電池負極材『ＭＡＧ』」に引き続き、３年連続の受賞となりました。

＝受賞テーマご紹介＝

■テーマ名：絶縁膜用ＣＭＰ研磨材『ＧＰＸ』

内 容：

半導体デバイスは近年コンピューター、携帯電話、デジタル家電、自動車などにその用途を拡大し、大容量化、高速化、省電力化、低価格化が進んでいる。これらの実現には半導体集積回路の微細化と多層化が不可欠となるが、積層に伴い各層で生じる段差を解消する必要がある。近年のデザインルール0.25μｍ以下の半導体集積回路の能動素子を絶縁分離する技術に浅溝素子分離(Shallow Trench Isolation, STI)が使われ始め、段差解消の手法の一つとして、化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)が必須技術となっている。STIのCMPには高段差解消性、高研磨速度、研磨停止層での研磨停止および低研磨傷などの研磨特性が要求される。当初ＳＴＩ用CMP研磨材としては砥粒がシリカのものが広く使われていたが、研磨速度が遅い点、段差解消性および研磨停止層の過剰研磨に問題があり、これらの問題を解決するCMP研磨材が求められていた。 当社は砥粒として酸化セリウムの高速研磨性に着目し、酸化セリウムの粒子構造および粒子径を最適化することにより高研磨速度と低研磨傷を両立する研磨粒子を開発した。また、機能性添加剤として分子の構造と分子量が制御された特定の有機高分子が研磨停止層に吸着することに着目し、研磨停止層の研磨速度を選択的に低下させることで効果的に段差を解消できる有機高分子を開発した。これらの技術を併用した酸化セリウム研磨材を使用することにより、従来のシリカスラリーでは得られなかった高段差解消性を達成でき、かつ、高研磨速度と低研磨傷が得られるGPXシリーズとして製品化した。本製品は半導体デバイスのさらなる成長に貢献するキーマテリアルとして期待が寄せられている。

以上

(表彰式にて、左より半導体材料部門ウエハープロセス開発部 芦沢 寅之助主管研究員、
野村好弘執行役電子材料事業部長、
研究開発本部新材料応用開発研究所 小山 直之主任研究員)