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CMPスラリー GPX

GPXのイメージ画像

「GPX」はCMP(Chemical Mechanical Planarization)に使用される研磨用スラリーです。研磨特性に優れ、より微細な配線の加工に対応できるため、半導体デバイス用途に適しています。半導体デバイス以外にも各種用途に応じたスラリーを揃えております。

シリーズラインナップと特長

各種スラリーシリーズをラインアップし、Si、SiO2など各種珪素、Cu、Ta、Alなど各種金属、その他、樹脂、アルミナなどの様々な研磨対象に対応します(シリーズ名をクリックすると詳細の紹介へジャンプします)。

製品シリーズ 推奨研磨対象 各シリーズの特長
HS-8005 SiO2/ガラス 半導体STIプロセス、SiO2、ガラス研磨用CeO2スラリーです。SiO2を高速に研磨します。
HS-C、H Cu 半導体Cu配線研磨用スラリーです。高速研磨にも対応します。
HS-T Ta/TaN/Ti 半導体配線バリア膜研磨用スラリーです。選択性/非選択研磨の2種類をラインアップ。
HS-A Al アルミ研磨用スラリーです。
HS-P Si Si、p-Si研磨用スラリーです。SiO2に対してSiおよびp-Siを選択的に研磨します。
HS-S Si Si基板およびTSV裏面研磨用スラリーです。Si/SiO2/Cuを非選択に研磨します。
HS-J その他 その他金属・材料研磨用スラリーです。エポキシ樹脂、アルミナ(サファイア)などを研磨します。

HS-8005シリーズ(SiO2、ガラス研磨用スラリー)

CMPプロセス

CMPプロセス

CMP(Chemical Mechanical Polishing)は高速・高集積の半導体デバイスの製造に必要とされるプロセスです。
CeO2を砥粒として用い、STIや層間絶縁膜の平坦化工程に使用できます。
添加剤GPにより平坦性などの特性改善が可能です。

特長

  • 酸化膜を高速に研磨します。
  • 研磨粒子の粒径、表面状態を最適化し、研磨傷を低減します。
  • 低スラリー濃度(CeO2が1%)での高速研磨を実現します。
  • 平坦性に優れ、SiO2膜とSi3N4膜の高選択研磨が可能です。
  • 従来のエッチバックプロセスが不要となり、プロセスの合理化が可能です。
研磨速度
製品シリーズ 研磨速度* (nm/min)
SiO2 SiN Poly-Si
HS-8005 300 10 1

HS-C、T、Aシリーズ(Cu、TA、Al研磨用スラリー)

CMPプロセス

CMPプロセス

CMP(Chemical Mechanical Polishing)は高速・高集積の半導体デバイスの製造に必要とされるプロセスです。
Cu研磨時に生じるディッシング、エロージョンを低減できます。またCu、TaN、酸化膜の研磨選択比の最適化が可能です。

各シリーズの特長
製品シリーズ 特長、研磨対象
HS-C、HS-H Cu研磨用。1000〜5000nm/minまで対応します。
HS-T バリアメタル、SiO2研磨用。選択タイプ、非選択タイプの2種類をラインナップしています。
HS-A Al研磨用です。
各シリーズの研磨速度
製品シリーズ 研磨速度* (nm/min)
Cu Ta/TaN SiO2 SiOC Al
HS-C 高速タイプ 5,000 60 10 - -
HS-H 標準タイプ 1,000 <1 <1 - -
HS-T 選択タイプ 40 80 5 5 -
非選択タイプ 40 90 90 40 -
HS-A - - 100 - 200

HS-P、Sシリーズ(Si研磨用スラリー)

各シリーズの特長
製品シリーズ 特長、研磨対象
HS-P Si及びp-Si研磨用です。P100シリーズ゙とP200シリーズを混合して使用する2液系スラリです。SiO2に対しSi及びp-Siを高選択に研磨します。
HS-S TSVの裏面研磨用です。S100シリーズ゙とS200シリーズ゙を混合して使用する2液系スラリ。Si/SiO2/Cuを非選択に研磨します。
各シリーズの研磨速度
製品シリーズ 研磨速度* (nm/min)
p-Si Si SiO2 Cu
HS-P100/P200 Si/SiO2高選択タイプ 300-600 700-1,500 0.1-15 200
HS-S100/S200 Si/SiO2/Cu非選択タイプ 400 1,200 400 1,000
SiO2/Cu非選択タイプ 50 100 700 600

HS-Jシリーズ(その他金属・材料研磨用スラリー)

特長

  • エポキシ樹脂、アルミナ膜などを研磨します。
  • Cu、パーマロイなどの各種金属の研磨にも対応します。
研磨速度
製品シリーズ 研磨速度* (nm/min)
樹脂
(エポキシ等)
Al2O3 パーマロイ Cu
HS-J700-1 500 800-1,000 200 100
*
研磨速度は代表値であり、研磨条件やスラリの混合比率などで更に調整可能です。
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